LED 外延片工藝流程如下：
外延片- 設(shè)計(jì)、加工掩模版- 光刻- 離子刻蝕- N 型電極（鍍膜、退火、刻蝕） - P 型電極（鍍膜、退火、刻蝕） - 劃片- 芯片分檢、分級
具體介紹如下：
固定：將單晶硅棒固定在加工臺上。
切片：將單晶硅棒切成具有精i確幾何尺寸的薄硅片。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣。
退火：雙工位熱氧化爐經(jīng)氮?dú)獯祾吆?，用紅外加熱至300~500℃，硅片表面和氧氣發(fā)生反應(yīng)，led外延片多少錢，使硅片表面形成二氧化硅保護(hù)層。
倒角：將退火的硅片進(jìn)行修整成圓弧形，防止硅片邊緣破i裂及晶格缺陷產(chǎn)生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣。
分檔檢測：為保證硅片的規(guī)格和質(zhì)量，對其進(jìn)行檢測。此處會產(chǎn)生廢品。
研磨：用磨片i劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度，達(dá)到一個(gè)拋光過程可以處理的規(guī)格。此過程產(chǎn)生廢磨片i劑。
清洗：通過有機(jī)i溶劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)去除硅片表面的有機(jī)雜質(zhì)。此工序產(chǎn)生有機(jī)廢氣和廢有機(jī)i溶劑。
RCA清洗：通過多道清洗去除硅片表面的顆粒物質(zhì)和金屬離子。
二次封裝LED主要可用于以下幾個(gè)方面：
　　(1)應(yīng)用于廣場、公園地下　　由于二次封裝LED防護(hù)等級達(dá)到高的IP68，可用于地下、水下等惡劣環(huán)境，被廣泛的應(yīng)用于廣場、公園、河道等場所的景觀用燈。如武漢的江灘公園玻璃廣場地下景觀及顯示屏照明、杭州西城廣場地下燈光帶、鄂爾多斯草坪造型照明、諸暨浦陽江河道照明等。照明設(shè)計(jì)師在設(shè)計(jì)廣場、公園、河道等場所照明時(shí)，可以利用二次封裝LED該特性，改變傳統(tǒng)景觀照明設(shè)計(jì)的局限性，創(chuàng)意出更好的景觀照明作品。
　　(2)應(yīng)用于橋梁照明　　因二次封裝LED點(diǎn)光源外形超薄、材質(zhì)透明、體積小、重量輕、軟線連接的特點(diǎn)，當(dāng)在橋梁上使用時(shí)，與傳統(tǒng)的LED數(shù)碼管和傳統(tǒng)的LED點(diǎn)光源相比，不會破壞橋梁的白天效果，非常適合像橋梁這種安裝維護(hù)難度較高的環(huán)境。如：青島丹山大橋、紹興常禧橋、南通怡橋。
　　(3)應(yīng)用于樓體輪廓及立面幕墻　　以往幕墻照明是一個(gè)難以解決的燈照明設(shè)計(jì)課題，二次封裝LED的面世，了這一難題，其安裝靈活、防水性好、安全節(jié)能，是幕墻節(jié)點(diǎn)安裝的理想燈具。利用電腦控制，設(shè)計(jì)成廣告顯示屏形式，既可以作為外墻景觀照明的一部分，也可以作為廣告顯示屏使用。
LED屏和主板之間的數(shù)據(jù)傳輸一般采用的都是串行式數(shù)據(jù)傳輸方式(SPI)，再通過信號包復(fù)用技術(shù)同步傳送顯示數(shù)據(jù)和控制數(shù)據(jù)，但在刷新率和解析度提高的情況下，很容易造成資料傳輸?shù)钠款i，導(dǎo)致系統(tǒng)的不穩(wěn)定。此外，在LED屏屏幕面積較大時(shí)，控制線往往也非常長，容易受到電磁干擾，湖州led外延片，影響傳輸信號的質(zhì)量。
　　雖然近年來有些廠商引入了新的傳輸介質(zhì)，led外延片批發(fā)，但如何才能為用戶提供真正性能，且較高的產(chǎn)品方案是困擾產(chǎn)業(yè)的一個(gè)重點(diǎn)問題。為此，部分廠商提出，LED顯示屏的數(shù)據(jù)傳輸方式亟待需要從層的技術(shù)層面入手，led外延片報(bào)價(jià)，尋找到一種創(chuàng)新的解決方案。
　　值得注意的是，LED屏技術(shù)革新已牽涉到產(chǎn)業(yè)鏈的各個(gè)環(huán)節(jié)，包括驅(qū)動IC制作工藝的提升、控制系統(tǒng)的硬件化、控制軟件的智能化開發(fā)等等，這些技術(shù)創(chuàng)新需要IC設(shè)計(jì)廠商、控制系統(tǒng)開發(fā)廠商、面板廠商，甚于包括終端用戶等更為緊密地結(jié)合在一起，共同打破行業(yè)應(yīng)用的“僵局”。特別是在控制系統(tǒng)的開發(fā)上，如何與IC設(shè)計(jì)公司更好地相互協(xié)作，提高LED屏的系統(tǒng)性能以及控制軟件的智能化水平是當(dāng)務(wù)之急。
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襯底 - 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)- 緩沖層生長- N型GaN 層生長- 多量i子阱發(fā)光層生- P 型GaN 層生長- 退火- 檢測（光熒光、X 射線） - 外延片；