“第三代半導體紫外探測材料及器件關鍵技術”項目 課題績效評價會議報道

杰生半導體  楊天鵬報道

    2021年9月11日，國家重點研發(fā)計劃戰(zhàn)略性先進電子材料重點專項“第三代半導體紫外探測材料及器件關鍵技術”項目課題績效評價會議在無錫融創(chuàng)皇冠假日酒店舉行。項目由南京大學陸海教授做為總負責人，由華中科技大學、南京大學、東南大學、華東師范大學、中山大學、清華大學、西安交大、廈門大學、中科院長春光機所、中電55所等多所知名科研院所和杰生半導體、思源電氣、東莞天域半導體等多家知名企業(yè)共同參與研發(fā)工作。項目績效評價專家組由北京大學沈波教授、蘇州長光華芯光電技術股份有限公司廖新勝研究員、中科院蘇州納米所徐科研究員等7名知名專家組成。楊天鵬博士代表杰生半導體參會。 

    項目總負責人南京大學陸海教授代表項目組首先代表課題組向專家組各位專家匯報項目的總體情況。項目進展順利，各項指標均達到驗收要求。 

 之后由項目所屬的四個子課題負責人分別做各自的項目進展情況匯報，依次為子課題一“寬禁帶半導體雪崩光電探測器外延關鍵技術”負責人華中科技大學陳長清教授、子課題二“高增益紫外雪崩光電探測器與成像芯片制備技術”負責人南京大學陸海教授、子課題三“寬禁帶半導體雪崩光電探測器物理與新結構器件”負責人南京大學陳敦軍教授、子課題四“紫外探測陣列讀出電路與成像系統(tǒng)集成技術”成員東南大學鄭麗霞副教授（代負責人孫偉鋒教授）。

杰生半導體參與子課題一的研發(fā)工作，承擔高Al組分AlGaN薄膜厚度與均勻性優(yōu)化工作，由陳長清教授介紹。

     結題指標為AlGaN薄膜的Al組分≥0.4，厚度不均勻性＜3%，委托檢測的結果是AlGaN薄膜中的Al組分為0.588，厚度不均勻性為2.709%，均完成結題指標要求。

 專家組對項目結題指標、申請專利、發(fā)表論文等情況進行了詳細地檢查和詢問，一致認為項目總體進展順利，達到結題要求。最后各位專家和項目組成員合影留念。